 |
-
Tystar常压、低压化学气相沉积设备标准Tytan3600
详细信息| 询价留言更多信息详见官网：www.longsun.asia系统概述：
自上个世纪80 年代初期开始，TYTAN 炉系统开始服务于半导体产业。现在它不仅为半导体产业创造价值，同样正在为MEMS产业创造价值。TYTAN 炉系统能够提供多种工艺，如扩散，氧化，退火和低压化学气相沉积（LPCVD) 工艺。
标准型TYTAN炉（常压、低压化学气相沉积设备）：
标准型TYTAN 炉系统是专为氧化, 扩散和低压化学气相沉积应用而设计的。与其它相同产能的常规炉系统相比，它具有结构紧凑，占地空间小和省电等优势。它的关键设计和性能特性包括:- 创新性热能设计
- 结构紧凑能够满足200+产能要求
- 非常高的产品均匀性
- 设备开机率优于 95%
- 庞大的客户网络
- 专家服务
- 节省(50%)电能和气体消耗
- 便于保养和服务
常压工艺：
氧化工艺（湿法，干法）
固态源扩散（BN,P2O5）
液态源扩散（POCl3,BBr3）
退火
纳米材料
烧结+合金
低压化学气相沉积和工艺：
掺杂多晶硅和非晶硅 LPCVD
多晶硅 LPCVD（使用硅烷或乙硅烷）
低温氧化硅，掺杂性低温氧化硅，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃和磷硅玻璃LPCVD
高温氧化硅LPCVD
TEOS氧化硅LPCVD
氮化硅LPCVD（低应力型，标准型）
硅锗（Si-Ge）LPCVD
掺氧半绝缘多晶硅，碳化硅
外延硅
纳米材料LPCVD
标准型TYTAN炉（（常压、低压化学气相沉积设备））系统对照表：炉系统型号 2000 8300 衬底尺寸 6’’ 8’’ 炉管数量 ≤4 TUBES ≤3 TUBES 单管产能 200 ATM
100 LPCVD200 ATM
100 LPCVD恒温区长度 34’’/864 mm 34’’/864 mm 设备尺寸
(长度, 高度, 宽度)L 164’’/4166 mm L 164’’/4166 mm H 82’’/2083mm H 82’’/2083mm D 30’’/762 mm D 30’’/762 mm *大消耗电功率 60 KVA 75 KVA
-
-
产品搜索
联系方式
- 联系人：陈经理
- 电 话：010-82254950
- 传 真：010-82254950-209
- 邮 箱：sale@longsun.asia
- 邮 编：100041
- 地 址：北京市石景山区八大处路49号院点石商务1号楼903室
- 网 址：
https://longsun2013.goepe.com/
http://www.beijing-longsun.com
友情链接