欢迎光临北京朗铭润德光电科技有限公司!!
手机网站 | 联系我们:010-82254950-200 | 加入收藏
  • 当前位置:北京朗铭润德光电科技有限公司 > 产品中心 > LPCVD氧化炉、扩散炉 > Tystar常压、低压化学气相沉积设备标准Tytan3600

    Tystar常压、低压化学气相沉积设备标准Tytan3600

    产品型号: 标准Tytan3600
    品  牌: Tystar
      价格电议,您可以向供应商询价得到该产品价格
    所 在 地: 北京
    更新日期: 2020-06-19
    详细信息
    更多信息详见官网:www.longsun.asia

    系统概述:

    自上个世纪80 年代初期开始,TYTAN 炉系统开始服务于半导体产业。现在它不仅为半导体产业创造价值,同样正在为MEMS产业创造价值。TYTAN 炉系统能够提供多种工艺,如扩散,氧化,退火和低压化学气相沉积(LPCVD) 工艺。
    标准型TYTAN炉(常压、低压化学气相沉积设备):
    标准型TYTAN 炉系统是专为氧化, 扩散和低压化学气相沉积应用而设计的。与其它相同产能的常规炉系统相比,它具有结构紧凑,占地空间小和省电等优势。它的关键设计和性能特性包括:
    • 创新性热能设计
    • 结构紧凑能够满足200+产能要求
    • 非常高的产品均匀性
    • 设备开机率优于 95%
    • 庞大的客户网络
    • 专家服务
    • 节省(50%)电能和气体消耗
    • 便于保养和服务

    常压工艺:

    氧化工艺(湿法,干法)

    固态源扩散(BN,P2O5

    液态源扩散(POCl3,BBr3

    退火

    纳米材料

    烧结+合金

    低压化学气相沉积和工艺:

    掺杂多晶硅和非晶硅 LPCVD

    多晶硅 LPCVD(使用硅烷或乙硅烷)

    低温氧化硅,掺杂性低温氧化硅,硼磷硅玻璃,硼硅玻璃和磷硅玻璃LPCVD

    高温氧化硅LPCVD

    TEOS氧化硅LPCVD

    氮化硅LPCVD(低应力型,标准型)

    硅锗(Si-GeLPCVD

    掺氧半绝缘多晶硅,碳化硅

    外延硅

    纳米材料LPCVD

    标准型TYTAN炉(常压、低压化学气相沉积设备)系统对照表
    炉系统型号 2000 8300
    衬底尺寸 6’’ 8’’
    炉管数量 4 TUBES 3 TUBES
    单管产能 200 ATM
    100 LPCVD
    200 ATM
    100 LPCVD
    恒温区长度 34’’/864 mm 34’’/864 mm
    设备尺寸
    (长度, 高度, 宽度)
    L 164’’/4166 mm L 164’’/4166 mm
    H 82’’/2083mm H 82’’/2083mm
    D 30’’/762 mm D 30’’/762 mm
    *大消耗电功率 60 KVA 75 KVA


     
  • 留言
    标  题: *(必填)
    内  容: *(必填)
    联系人:
    邮  箱:
    手  机:
    固  话:
    *(必填)
    公  司: *(必填)
    地  址: *(必填)